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KRi 大尺寸射頻離子源樹脂鏡片高性能 AR 工藝

2023年06月06日 11:23:27人氣:143來源:伯東企業(yè)(上海)有限公司

KRi 大尺寸射頻離子源樹脂鏡片高性能 AR 工藝
樹脂為手機行業(yè)目前常用的鏡片基材, 為了減少鏡片反射, 提升透過率, 會在鏡片表面鍍 AR 增透膜 (減反膜), 它是一種硬質(zhì)耐熱氧化膜, 可在特定波長范圍內(nèi)將元器件表面的反射率最小化. AR coating 可以顯著提高樹脂基材的透過率. 光線在透過不同介質(zhì)時會產(chǎn)生折射和反射, 當(dāng)加上單面 AR coating 后, 濾光片會提升 3~5%的透光率, 讓圖像更清晰且讓鏡片不容易起霧.

手機鏡頭等上游供應(yīng)商在生產(chǎn)工藝中通常使用離子源進(jìn)行輔助沉積, 由此改善由手機攝像頭內(nèi)樹脂鏡片非有效徑區(qū)域透光跟反射光線形成的 flare 現(xiàn)象, 提高手機攝像頭的成像質(zhì)量, 提升鏡頭競爭力. 在鍍膜過程中, 同時需要解決諸如脫膜, 光譜的不穩(wěn)定, 均勻性不佳及無法在大型蒸鍍機穩(wěn)定的大量生產(chǎn)等問題.

上海伯東美國 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380, 利用高均勻性的離子分布及高穩(wěn)定的離子能量成功搭配于 1米7 的大型蒸鍍設(shè)備, 解決了在樹脂基材鏡頭上無法達(dá)到高質(zhì)量鍍膜要求的問題, 同時也提升了企業(yè)生產(chǎn)效能.

客戶原使用國產(chǎn)傳統(tǒng)燈絲型離子源 (霍爾離子源), 因離子源高溫, 發(fā)熱, 易造成樹脂融化, 產(chǎn)生磨砂物質(zhì),導(dǎo)致表面污染, 對材料本身造成結(jié)構(gòu)性破壞; 傳統(tǒng)燈絲型霍爾離子源每天需要更換燈絲, 保養(yǎng)時間長, 對生產(chǎn)效率有一定的影響. 經(jīng)過推薦客戶改裝美國進(jìn)口 KRi 大尺寸射頻離子源, 提高折射率, 增加樹脂鏡片表面的膜層致密度, 增加膜強度, 整體上提升了鍍膜效果!
鍍膜材料: 高折射率材料 Ti2O5 (氧化鈦), 低折射率材料 SiO2 (氧化硅)
應(yīng)用: 樹脂鏡片鍍 AR 增透膜(減反膜)
鍍膜設(shè)備: 1米7 的大型蒸鍍設(shè)備, 配置美國 KRi 射頻離子源 RFICP 380
測試環(huán)境: 80C / 80% 濕度, 85C / 95% 濕度, 連續(xù) 1,500 小時高溫高濕嚴(yán)苛環(huán)境測試

KRi 大尺寸射頻離子源樹脂鏡片高性能 AR 工藝
KRi 大尺寸射頻離子源樹脂鏡片高性能 AR 工藝

上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長!  射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.
KRi 射頻離子源


美國 KRi RFICP 射頻離子源技術(shù)參數(shù):

型號

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 陽極

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射


流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直徑

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000


上海伯東同時提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

若您需要進(jìn)一步的了解 KRi 射頻離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生


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